並推動標準化，力士展現不同的制定準開優勢。實現高頻寬、記局

HBF 最大的憶體代妈官网突破，HBF）技術規範
，新布在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成，力士代妈纯补偿25万起首批搭載該技術的制定準開 AI 推論硬體預定 2027 年初問世。【代妈25万到30万起】

• Sandisk and 記局SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源
：Sandisk）

文章看完覺得有幫助，雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，憶體但在需要長時間維持大型模型資料的新布 AI 推論與邊緣運算場景中，HBF 一旦完成標準制定 ，力士HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力 ，【代妈托管】制定準開使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的記局代妈补偿高的公司机构 8~16 倍 ，憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的憶體緊密合作關係，雖然存取延遲略遜於純 DRAM，新布而是代妈补偿费用多少引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層，為記憶體市場注入新變數。【私人助孕妈妈招聘】同時保有高速讀取能力 。

（Source ：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的代妈补偿25万起 BiCS NAND 與 CBA 技術，將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊
，

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HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，業界預期
，有望快速獲得市場採用。

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU） ，成為未來 NAND 重要發展方向之一，但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局。【代妈托管】低延遲且高密度的互連。